Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 0,25 ГБ DRAM 266 МГц
- - 184-pin DIMM
- - Время задержки CAS: 2.5
- - 2.5 В
Больше>>>
Краткое суммарное описание Transcend 256MB Proprietary Memory/NEC Express 5800 110Eg/Ga модуль памяти 0,25 ГБ DRAM 266 МГц:
Этот краткий итог описания Transcend 256MB Proprietary Memory/NEC Express 5800 110Eg/Ga модуль памяти 0,25 ГБ DRAM 266 МГц сформирован автоматически и использует название продукта и первые шесть основных спецификаций.
Transcend 256MB Proprietary Memory/NEC Express 5800 110Eg/Ga, 0,25 ГБ, DRAM, 266 МГц, 184-pin DIMM
Общее описание Transcend 256MB Proprietary Memory/NEC Express 5800 110Eg/Ga модуль памяти 0,25 ГБ DRAM 266 МГц:
Это автоматически сформированный общий итог Transcend 256MB Proprietary Memory/NEC Express 5800 110Eg/Ga модуль памяти 0,25 ГБ DRAM 266 МГц основанный на первых трех спецификациях, первых пяти спецификаций групп.
Transcend 256MB Proprietary Memory/NEC Express 5800 110Eg/Ga. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГц, Форм-фактор памяти: 184-pin DIMM, Время задержки CAS: 2.5