Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 3 ГБ DDR3 1333 МГц
- - 240-pin DIMM 3 x 1 ГБ
- - Время задержки CAS: 7
- - 1.65 В
Больше>>>
Краткое суммарное описание Toshiba DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel модуль памяти 3 ГБ 3 x 1 ГБ 1333 МГц:
Этот краткий итог описания Toshiba DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel модуль памяти 3 ГБ 3 x 1 ГБ 1333 МГц сформирован автоматически и использует название продукта и первые шесть основных спецификаций.
Toshiba DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel, 3 ГБ, 3 x 1 ГБ, DDR3, 1333 МГц, 240-pin DIMM
Общее описание Toshiba DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel модуль памяти 3 ГБ 3 x 1 ГБ 1333 МГц:
Это автоматически сформированный общий итог Toshiba DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel модуль памяти 3 ГБ 3 x 1 ГБ 1333 МГц основанный на первых трех спецификациях, первых пяти спецификаций групп.
Toshiba DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel. Оперативная память: 3 ГБ, Конфигурация памяти (модули х емкость): 3 x 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1333 МГц, Форм-фактор памяти: 240-pin DIMM, Время задержки CAS: 7